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作为新一代热电材料的典型代表，省2司公示结单晶硒化锡（SnSe）块体由于其高热电优值（ZT，在773K下可达到2.8）而备受关注。然而，第第电目前硒化锡基热电材料中的铜掺杂机理仍不明确，第第电例如铜元素的掺杂极限、掺杂对晶体宏观形貌生长的影响，对微观尺度下晶格排列的影响，以及主要的掺杂价态等等仍是研究空白，而探究铜元素的掺杂机理对于实现硒化锡基热电材料的性能最优化调控而言具有重大意义。

批总批售（f）重度铜掺杂硒化锡烧结块体切片的TEM照片以显示密集缺陷。江苏邹进教授目前承担多项澳大利亚研究理事会的研究课题。省2司公示结（h）放大的达到掺杂极限11.8%时的硒化锡微单晶的SEM照片。

第第电图4.（a）达到掺杂极限11.8%时的带状硒化锡微单晶的球差电镜照片（沿a轴向）以显示局部应力区分布。批总批售图2.（a）不同掺杂浓度下的硒化锡微单晶的XRD结果。

江苏图8.（a）纯硒化锡以及重度铜掺杂硒化锡烧结块体的沿着不同烧结方向的XRD结果以显示其各向异性。

省2司公示结（d）扫描线1（沿b轴向）以显示潜在铜掺杂导致的峰强变化。利用原位TEM等技术可以获得材料形貌和结构实时发生的变化，第第电如微观结构的转化或者化学组分的改变。

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